موضوعنا اليوم عن نجم ساطع فى سماء الصيانه على اللوحه الام
واحد يسال سؤال ما هو الموسفت
تعالو نلقى نظره على الموسفت
ونشوفو الصور دى
واحد يسال سؤال ما هو الموسفت
تعالو نلقى نظره على الموسفت
ونشوفو الصور دى
وده شكله على المازر بورد
وايضا ده موسفت دريفر
طيب واحد يسال سؤال تانى
لو بايظ شكله بيكون عامل ازاى
شوف الصوره دى فى حالة اذا كان تعرض
للتلف بسبب التيار المار الكهربائى
لو بايظ شكله بيكون عامل ازاى
شوف الصوره دى فى حالة اذا كان تعرض
للتلف بسبب التيار المار الكهربائى
وانظر كيف فعل التيار بهذا الموسفيت المسكين الذى يقع يسار الصوره
وانظر ايضا للمكثفات التى بجانبه منتفخة الراس
ايضا تعرضتت للتلف
وانظر ايضا للمكثفات التى بجانبه منتفخة الراس
ايضا تعرضتت للتلف
طيب تعالو نلقى نظره على هذا النجم (الموسفت) مرة اخرى
تعتبر أشباه الموصلات النقية (مثل الجرمانيوم والسليكون) موادا ليست جيدة التوصيل للكهرباء كما أنها ليست
رديئة التوصيل للكهرباء . وتتوزع الإلكترونات فى أشباه الموصلات
حول أنويتها فى مدارات ولكن تتميز أشباه الموصلات النقية بوجود 4 إلكترونات فقط فى المدار الأخير مما
يجعلها مستقرة . أى أنها لا تنقل الكهرباء إلا بعد أن يتم تحرير إلكترون
من الأربعة عن طريق الحرارة أو عن طريق إضافة شوائب . كما أنها تتحول لعوازل عندما نجبرها على
إستقبال إلكترونات أخرى فى مدارها الأخير (بإضافة شوائب ايضا).
البلورة السالبة N :
بإضافة شوائب من مادة يحتوى المدار الأخير للإلكترونات حول ذراتها على 5 إلكترونات
مثل الفسفور أو الزرنيخ إلى المادة شبه الموصلة تتكون البلورة السالبة N وهى
موصلة حيث يزيد فيها عدد الإلكترونات (السالبة) الحرة .
البلورة الموجبة P :
بإضافة شوائب من مادة يحتوى المدار الأخير للإلكترونات حول ذراتها على 3 إلكترونات
مثل البورون والألومينيوم والجاليوم إلى المادة شبه الموصلة تتكون
البلورة الموجبة P حيث ينقصها إكتساب إلكترونات للوصول لحالة الإتزان (يعنى وجود فجوات Holes).
الوصلة الثنائية :
عند توصيل بللورة من نوع P مع بلورة من نوع N كما بالشكل المرفق تنجذب بعض
الألكترونات الحرة من البللورة N إلى الفجوات فى البلورة P وتتكون منطقة وسطية فارغة
من حاملات التيار (بعد أن أنجذب كل ألكترون فى هذه المنطقة مع فجوة ولم يعد حرا) وتسمى
هذه المنطقة بالمنطقة الميتة (أو المنزوحة) Depletion Area ونتيجة لهذه الظاهرة
ووجود نوعين مختلفين من حاملات الشحنة على جانبى المنطقة المنزوحة يتكون جهد على
هذه المنطقة يعرف بالجهد الحاجز Barrier Voltage .
والوصلة الثنائية هى فى الحقيقة الثنائى المعروف بالدايود .
رديئة التوصيل للكهرباء . وتتوزع الإلكترونات فى أشباه الموصلات
حول أنويتها فى مدارات ولكن تتميز أشباه الموصلات النقية بوجود 4 إلكترونات فقط فى المدار الأخير مما
يجعلها مستقرة . أى أنها لا تنقل الكهرباء إلا بعد أن يتم تحرير إلكترون
من الأربعة عن طريق الحرارة أو عن طريق إضافة شوائب . كما أنها تتحول لعوازل عندما نجبرها على
إستقبال إلكترونات أخرى فى مدارها الأخير (بإضافة شوائب ايضا).
البلورة السالبة N :
بإضافة شوائب من مادة يحتوى المدار الأخير للإلكترونات حول ذراتها على 5 إلكترونات
مثل الفسفور أو الزرنيخ إلى المادة شبه الموصلة تتكون البلورة السالبة N وهى
موصلة حيث يزيد فيها عدد الإلكترونات (السالبة) الحرة .
البلورة الموجبة P :
بإضافة شوائب من مادة يحتوى المدار الأخير للإلكترونات حول ذراتها على 3 إلكترونات
مثل البورون والألومينيوم والجاليوم إلى المادة شبه الموصلة تتكون
البلورة الموجبة P حيث ينقصها إكتساب إلكترونات للوصول لحالة الإتزان (يعنى وجود فجوات Holes).
الوصلة الثنائية :
عند توصيل بللورة من نوع P مع بلورة من نوع N كما بالشكل المرفق تنجذب بعض
الألكترونات الحرة من البللورة N إلى الفجوات فى البلورة P وتتكون منطقة وسطية فارغة
من حاملات التيار (بعد أن أنجذب كل ألكترون فى هذه المنطقة مع فجوة ولم يعد حرا) وتسمى
هذه المنطقة بالمنطقة الميتة (أو المنزوحة) Depletion Area ونتيجة لهذه الظاهرة
ووجود نوعين مختلفين من حاملات الشحنة على جانبى المنطقة المنزوحة يتكون جهد على
هذه المنطقة يعرف بالجهد الحاجز Barrier Voltage .
والوصلة الثنائية هى فى الحقيقة الثنائى المعروف بالدايود .
لإنحياز الأمامى :
الشكل المرفق التالى يبين الإنحياز الأمامى للثنائى حيث يوصل الطرف الموجب للبطارية
بالبلورة P والطرف السالب بالبللورة N وبهذه الطريقة نستطيع أن نقلل من الجهد الحاجز
وندفع الإلكترونات للمرور عبر المنطقة المنزوحة لتغلق الدارة ويمر التيار فيها.
الشكل المرفق التالى يبين الإنحياز الأمامى للثنائى حيث يوصل الطرف الموجب للبطارية
بالبلورة P والطرف السالب بالبللورة N وبهذه الطريقة نستطيع أن نقلل من الجهد الحاجز
وندفع الإلكترونات للمرور عبر المنطقة المنزوحة لتغلق الدارة ويمر التيار فيها.
لإنحياز الخلفى (العكسى) :
الشكل المرفق التالى يبين الإنحياز العكسى للثنائى حيث يوصل الطرف الموجب للبطارية بالبلورة N والطرف
السالب بالبللورة P وبهذه الطريقة نستطيع أن نزيد من
الجهد الحاجز وندفع الإلكترونات للإنجذاب للطرف الموجب للبطارية والفجوات للإنجذاب للطرف السالب
للبطارية مما يزيد من الجهد الحاجز والمنطقة المنزوحة ويوقف مرور التيار فى الدارة.
الشكل المرفق التالى يبين الإنحياز العكسى للثنائى حيث يوصل الطرف الموجب للبطارية بالبلورة N والطرف
السالب بالبللورة P وبهذه الطريقة نستطيع أن نزيد من
الجهد الحاجز وندفع الإلكترونات للإنجذاب للطرف الموجب للبطارية والفجوات للإنجذاب للطرف السالب
للبطارية مما يزيد من الجهد الحاجز والمنطقة المنزوحة ويوقف مرور التيار فى الدارة.
ترانزستور التأثير المجالى والمصنوع من أشباه الموصلات والأكسيد والمعدن :
كل هذه المقدمة كانت لوضع الأساس الذى سنستند عليه فى عمل الترانزستور المجالى MOSFET
>> وهو كما بالشكل التالى يتركب من :
1- طبقة سفلية Substrate وهى إما من النوع N (كما بيمين الشكل) أو من النوع P (كما بيسار الشكل)
2- منطقتين من بلورتين من نفس النوع (بعكس الطبقة السفلية N <==> P ) ويمثلان طرفين من أطراف
الترانزستور وهما (المصرف Drain والمنبع Source).
3- طبقة من الأوكسيد (ثانى أكسيد السليكون SIO2) وهى مادة غير موصلة للتيار الكهربى (عازلة).
4- طبقة من المعدن وتمثل الطرف الثالث للترانزستور وهو البوابة Gate
>> ونجد أيضا من الشكل أن هذا الترانزستور له نوعان هما ال P-Cahnnel وال N-Channel بحسب
أختيار نوع الطبقة السفلية والبلورتين الجانبيتين (المصرف والمنبع).
>> ومن النقاط الأربع السابقة نكون قد فهمنا الجزء MOS (شبه موصل - أكسيد- معدن) من أسم هذا الترانزستور .
كل هذه المقدمة كانت لوضع الأساس الذى سنستند عليه فى عمل الترانزستور المجالى MOSFET
>> وهو كما بالشكل التالى يتركب من :
1- طبقة سفلية Substrate وهى إما من النوع N (كما بيمين الشكل) أو من النوع P (كما بيسار الشكل)
2- منطقتين من بلورتين من نفس النوع (بعكس الطبقة السفلية N <==> P ) ويمثلان طرفين من أطراف
الترانزستور وهما (المصرف Drain والمنبع Source).
3- طبقة من الأوكسيد (ثانى أكسيد السليكون SIO2) وهى مادة غير موصلة للتيار الكهربى (عازلة).
4- طبقة من المعدن وتمثل الطرف الثالث للترانزستور وهو البوابة Gate
>> ونجد أيضا من الشكل أن هذا الترانزستور له نوعان هما ال P-Cahnnel وال N-Channel بحسب
أختيار نوع الطبقة السفلية والبلورتين الجانبيتين (المصرف والمنبع).
>> ومن النقاط الأربع السابقة نكون قد فهمنا الجزء MOS (شبه موصل - أكسيد- معدن) من أسم هذا الترانزستور .
فكرة عمل الـMOSFET :
فى هذا النوع من الترانزستورات يتم التحكم بتيار الخرج عن طريق جهد (المجال الكهربى) الدخل .. فكيف ذلك ؟
أنظر الشكل التالى (حيث تم توصيل المصرف بالطرف الموجب لبطارية والمنبع بالطرف السالب لها)
1- فى حالة عدم وضع جهد على البوابة Gate فإنه لن يمر أى تيار بين المنبع والمصرف (الشكل الأيسر)
2- فى حالة وضع جهد موجب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة N -
فإن الإلكترونات الحرة الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال
الكهربى الموجب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.
فى هذا النوع من الترانزستورات يتم التحكم بتيار الخرج عن طريق جهد (المجال الكهربى) الدخل .. فكيف ذلك ؟
أنظر الشكل التالى (حيث تم توصيل المصرف بالطرف الموجب لبطارية والمنبع بالطرف السالب لها)
1- فى حالة عدم وضع جهد على البوابة Gate فإنه لن يمر أى تيار بين المنبع والمصرف (الشكل الأيسر)
2- فى حالة وضع جهد موجب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة N -
فإن الإلكترونات الحرة الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال
الكهربى الموجب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.
- ى حالة وضع جهد سالب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة P- فإن الفجوات
الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى
السالب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.
الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى
السالب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.
لاحظ أنه لوجود مادة الأوكسيد (العازلة) بين البوابة وبقية الترانزستور فإن التيار لا يمر بينهما . وفقط يتم التحكم
بالتيار المار بين المنبع والمصرف عن طريق الجهد
(المجال الكهربى) الموجود على البوابة.
ماذا عن اعطاله
اولا اسمحو لى ان اضع هذه بعض الاعطال له
1- عدم سخونة البروسوسر وبالتالى عدم عمل دائرة البروسوسور
2- ضعف ملحوظ فى عمل الرام تظهر مشكله التهنيج المستمر للجهاز وذلك بسبب
موسفت بجوار الرام وهو موسف مهم جدا فى دائرة الرام
3- ممكن يحصل من مشكلة تلف الموسفت قطع باور مع طبعا قطع الداتا
وذلك بسبب تلف الموسف +موسفت احتياطى لدائرة البروسوسور
4- عطل عمل كارت الفيجا وبالتالى عدم ظهور داتا لكارت الشاشه
5- يسبب الموسفت فصل دائرة الجسر الشمالى عن الجنوبى
اى عزل دوائر البروسوسور والشيب الجنوبى
6- عطل الماوس والكيبورد وذلك بفحص الموسفات بجوار الماوس والكيبورد وايظا المكثفات
طريقة قياسه
أولا : حتحط الترانزيستور أمامك وتكون قاعدته لفوق ورجليه لتحت وطبعا حتلاقي رجل يمين ورجل شمال .
أولا : حتحط الترانزيستور أمامك وتكون قاعدته لفوق ورجليه لتحت وطبعا حتلاقي رجل يمين ورجل شمال .
ثانيا : اضبط الافو الديجتال علي وضع الصفاره
ثالثا : ضع الطرف الاسود علي الـ D ثم ضع الطرف الاحمر مره علي ال S ومره علي ال G المفروض حيقرأ معاك مره قراءه معينه غالبا في حدود من 300 الي 700 ومره اخري يظهر 1 علي شاشة الافو ميتر
رابعا : أعكس
الوضع وقيس بمعني اللاحمر علي ال D واتحرك بالاسود مره علي ال S ومره علي
الـ G علي الطرفين التانين المفروض انه يظهر 1 علي شاشة الافو ميتر
خامسا : ارجع حط الطرف الاسود علي ال S والاحمر علي ال G المفروض يظهر 1 علي شاشة الافو ميتر
سادسا : حط الطرف الاحمر علي ال S والاسود علي ال G المفروض يظهر 1 علي شاشة الافو ميتر
بكدا يكون الترانزيستور سليم وغير ذلك تالف
ملحوظه هامه : الترانزيستور خارج البورده .
هذا ما لدى عن الموسفت والله اعلى واعلم
تقبلو تحياتى
سادسا : حط الطرف الاحمر علي ال S والاسود علي ال G المفروض يظهر 1 علي شاشة الافو ميتر
بكدا يكون الترانزيستور سليم وغير ذلك تالف
ملحوظه هامه : الترانزيستور خارج البورده .
هذا ما لدى عن الموسفت والله اعلى واعلم
تقبلو تحياتى
0 التعليقات لموضوع "الموسفت"
الابتسامات الابتسامات